多晶硅棒热破碎装置
一种破碎多晶硅棒的装置及方法 CNA 专利顾如
2010年11月26日 本发明提供的多晶硅棒破碎装置及方法将压缩气体压入多晶硅棒的空隙内，然后瞬间减压，使多晶硅棒空隙内的气体迅速向外流动，使多晶硅棒“爆炸”成为碎块。
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一种多晶硅棒破碎的装置和方法制造方法及图纸_技高网一种冲击震动式多晶硅硅棒破碎装置制造方法及图纸
冲击式多晶硅破碎装置的研究与设计 百度学术
多晶硅 (Polysilicon)作为半导体材料所使用的基础材料,在微电子技术和光伏发电技术中应用普遍,被称为"微电子大厦的基石".多晶硅破碎长久以来一直是采用人工使用镶嵌硬质合金或
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冲击式破碎机设计_毕业论文.doc 原创力文档冲击式破碎机设计_毕业论文 豆丁网
电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置与流程
2022年6月1日 为此，本发明的目的在于提出一种电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置。多晶硅棒通过传送单元自动完成进出加热仓，多晶硅棒在完成加热的过程
一种水爆破碎多晶硅料的方法 百度学术
本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法,该方法的具体过程为:将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空,然后通入氩气并加热保温后随炉冷却,将冷却的装载原生硅多晶硅
多晶硅生产工艺 知乎
2022年8月31日 流化床法制造多晶硅需要用到流化床反应器，具体反应过程如下：将SiHCl3和H2由底部注入到流化床反应装置中，在加热器和预热气体的双重作用下把床层温度提高到反应所需温度。 硅烷气体通过被加热的
一种多晶硅破碎装置及破碎方法与流程
2020年8月14日 2、本发明多晶硅破碎装置破碎分选率高，棒状多晶硅破碎时受力均匀，可根据客户需求产出高分选率大小的硅块；棒状多晶硅破碎时受力平均，无易损部件，能
电子级多晶硅棒热破碎方法与流程 X技术网
2022年4月16日 一种方式是将多晶硅棒料置于多晶硅破碎台，使用气动破碎锤破碎多晶硅。 还有一种方式是使用一体式破碎机，通过自动运输、自动破碎、自动筛分系统将硅块进
一种多晶硅棒破碎装置 CNU 专利顾如 PatentGuru
2018年11月20日 本实用新型提供的一种多晶硅棒破碎装置，包括壳体、盛料篮和冷却介质；壳体顶端开口；盛料篮用于放置多晶硅棒，盛料篮的开口方向与壳体的开口方向一
多晶硅硅棒的破碎方法-盖德化工问答
2017年5月18日 多晶硅硅棒的破碎方法. 请教各位： 还原炉 出来的 多晶硅 硅棒，用什么方法破碎？. 都用到哪些设备或工具？. 试想一下，成千上万吨多晶硅， 都是人工破碎的，
多晶硅研究系列1：三大生产工艺的比较 1.多晶硅的生
2012年3月27日 1.多晶硅的生产工艺：从西门子法到改良西门子法 从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100℃
一种水爆破碎多晶硅料的方法 百度学术
本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法,该方法的具体过程为:将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空,然后通入氩气并加热保温后随炉冷却,将冷却的装载原生硅多晶硅棒料的装料框进行流动水冷却,得到表面产生裂纹的原生硅多晶硅棒料,再进行对碰
多晶硅生产工艺流程 哔哩哔哩
2020年12月21日 多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括，三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化（有的采用氯氢化），精馏，还原，尾气回收，还有一些小的主项，制氢、氯化氢合成、废气废液的处理、硅棒的整理等等。 主要反应包括：Si+HCl---SiHCl3+H2（三氯氢硅合成）;SiCl4+H2---SiHCl3+HCl（热氢化）;SiHCl3+H2---SiCl4
多晶硅破碎系统和多晶硅破碎方法与流程 X技术网
2020年4月14日 一种多晶硅破碎方法，包括如下步骤：. 步骤s1：将待破碎的多晶硅送入真空箱后封闭真空箱；. 步骤s2：对装有所述多晶硅的所述真空箱进行抽真空处理，然后充入惰性气体；. 步骤s3：所述加热炉与所述真空箱之间设置有可开闭的段炉门，通过所述段炉
CNA 一种水爆破碎多晶硅料的方法 Google Patents
2019年10月23日 1.一种水爆破碎多晶硅料的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：. 步骤一、将原生硅多晶硅棒料竖直向上摆放在装料框内，然后放置于高真空熔炼炉内，开启机械泵和插板阀门，在25min～30min内对高真空熔炼炉进行抽真空至真空度不超过0.2mbar；所
还原炉倒棒的原因分析以及预防措施，你都了解多少呢！_多晶硅
2019年8月30日 硅芯在沉积生长的过程中，由于诸多原因造成炉内硅棒重心发生偏移或操作不当导致多晶硅棒在炉内最终倒塌断裂，还原炉倒棒将会对设备产生严重的损坏，同时也将提高设备对多晶硅产品的污染。. 一、还原炉倒棒的原因分析：. 1、还原炉电极结构不合理：.
多晶硅碎块及破碎多晶硅棒的方法 X技术网
多晶硅碎块及破碎多晶硅棒的方法 【技术领域】 [0001 ]本发明涉及多晶硅碎块及破碎多晶硅棒的方法。【背景技术】 [0002]在工业规模上，粗制硅是在光弧炉中在约2000°C的温度下通过用碳还原二氧化硅获得的。[0003]在此获得纯度约为98至99%的所谓的“冶金级
硅料四大分级，两大工艺，两大成本，五大巨头！ OFweek
2022年2月11日 西门子法是1955 年德国西门子以氢气H2还原高纯度三氯氢硅SiHCl3，在1100℃硅芯／硅棒上沉积多晶硅 改良西门子法又称闭环西门子法，第一步工业硅粉与氯化氢或四氯化硅SiCl4和氢气反应制备三氯氢硅SiHCl3，第二步是三氯氢硅分离提纯，第三步是三
透视多晶硅：一文深入揭秘多晶硅及其生产工艺 知乎
2023年5月12日 多晶硅的常见 掺杂剂 包括砷、磷和硼。多晶硅通常不掺杂地沉积，掺杂剂在沉积后才引入。多晶硅掺杂的方法有扩散法、离子注入法和原位掺杂法 三种 。扩散掺杂包括在未掺杂的多晶硅上沉积非常重掺杂的硅玻璃。这种玻璃将用作多晶硅的掺杂剂来源。
全自动多晶硅破碎系统-全自动智能化多晶硅自动破碎生产线
2015年7月9日 二、系统特点. 全自动智能化多晶硅自动破碎生产线具有快捷高效的工作特点，并且可以全面杜绝多晶硅破碎过程中的二次污染问题，保证了多晶硅的质量纯度为核心作为设计研发的宗旨。. 1.8m～2.4m的棒料可以在瞬间破碎完成，而且破碎过程中不会产生粉尘
多晶硅碎块及破碎多晶硅棒的方法 X技术网
多晶硅碎块及破碎多晶硅棒的方法. 【技术领域】. [0001 ]本发明涉及多晶硅碎块及破碎多晶硅棒的方法。. 【背景技术】. [0002]在工业规模上，粗制硅是在光弧炉中在约2000°C的温度下通过用碳还原二氧化硅获得的。. [0003]在此获得纯度约为98至99%的所谓的“冶金级
多晶硅生产工艺——最全，供收藏！ 中国粉体网
2022年8月29日 通过这种方法得到的多晶硅，其中C元素的含量不超过0.0005%，由此可见，硅石碳热还原法得到的多晶硅的纯度相当之高。 6、电解法 电解法采用电解硅酸盐的方式得到纯度较高的硅，在电解装置中，以C作为阳极，反应温度控制在1000℃，在经过一段时间的电解反应后，Si单质将会在阴极上附着，阳极
一种硅块破碎装置及使用方法、硅块破碎方法及应用方法与流程
2021年8月27日 本发明涉及破碎装置技术领域，尤其涉及一种硅块破碎装置及使用方法、硅块破碎方法及应用方法。背景技术： 电子级多晶硅是集成电路产业的基础原材料，一般采用改良西门子法进行生产，在还原炉中利用化学气相沉积产出多晶硅棒，然后对其进行破碎、筛分及清洗，从而得到尺寸不一的多晶硅
多晶硅包装破碎工 RESTAURANT LES GABOUREAUX
2015-1-8 多晶硅自动破碎机多晶硅棒自动破碎及计量包装系统主要是通过机械自动化的现代化科技，对多晶硅棒进行破碎筛分称重包装的自动化生产线。. 该系统自动化程度较高操作简便减轻了劳动强度提高了工作效率。. 多晶硅的破碎工,多晶硅的破碎工,七、废
多晶硅破碎机设计 豆丁网
2012年1月27日 1.5 设计方案的选取 多晶硅棒料的尺寸是直径150mm,长2500mm 的圆柱，硬度非常高，而且在破碎的 过程中必须保证不能污染多晶硅，这给设计带来一些难度。. 经过反复的设计，最终确定 了方案，破碎机类型为锤式破碎机，模仿工人的锤击方式。. 1、第
一种多晶硅棒破碎装置 CNU 专利顾如 PatentGuru
2018年11月20日 本实用新型提供的一种多晶硅棒破碎装置，包括壳体、盛料篮和冷却介质；壳体顶端开口；盛料篮用于放置多晶硅棒，盛料篮的开口方向与壳体的开口方向一致，并放置于壳体内，盛料篮的非开口面上开设有若干通孔，盛放于壳体内的冷却介质通过通孔流入或流出盛料篮，冷却介质与放置于盛料篮中
硅料破碎装置的设计与应用_参考网
2021年11月10日 本文就对硅料破碎装置进行了研究，设计了一款能够控制硅料破碎粒径的自动化装置，希望能对相关企业的硅料破碎工作带来便利。 参考文献： [1]李明翰，曾海峰，王有伟，等.基于离散元法的多晶硅仿真破碎分析与研究[J].计算机仿真，2021，v.38，（06）：182-186.
一种多晶硅硅棒预处理装置及破碎装置 豆丁网
2021年10月28日 一种多晶硅硅棒预处理装置及破碎装置.doc. （19）中华人民共和国国家知识产权局（12）实用新型专利 （10）申请公布号 CNU （43）申请公布日 2019.01.18 （21）申请号 CN.9 （22）申请日 2018.04.28 （71）申请人 亚洲硅业 (青海)有限公司 地址 810007 青海省
一种多晶硅棒破碎的装置和方法制造方法及图纸_技高网
2020年6月6日 1.本发明涉及一多晶硅棒破碎的装置和方法，其特征包括采用电阻加热炉装置将多晶硅棒进行预热，预热后用电磁线圈采用电磁感应方法将多晶硅棒进一步加热，将加热后的多晶硅棒进行用液氮或者高纯水进行快速冷却，以使多晶硅棒内部产生应力，从而破碎
多晶硅行业深度报告：供需、技术与龙头对比分析__财经头条
2021年7月27日 多晶硅产能扩产周期长，从建设到满产约需2年时间，显著高于下游硅片（14 个月）、电池（12个月）等环节，容易产生供需错配及产品价格大幅波动。. 根据 CPIA，2020年N型电池市场占比约3.5%，未来随着生产成本的降低及良率的提 升，N型电池将会是电池技术的